OLED离线应用 - NXT Far East Limited

OLED离线应用

OLED膜层和膜系测量——厚度和n/k

有机发光二极管（OLED）的生产基于多种不同材料的薄膜镀层，譬如氧化铟锡（ITO）或有机材料层，厚度从2nm到500纳米不等。目前，OLED生产应用了小分子和聚合物工艺。

薄膜沉积过程中的各种工艺参数对膜层厚度和光学常数N/K有严重影响。ITO膜层的导电性和表面粗糙度也会改变OLED的光学特性。膜层分布的均匀性和绝对厚度是OLED质量控制的关键。因此，在生产中深入了解并精确控制光学常数N/K和膜层厚度是一切的基础。

为满足OLED的离线测量需求，NXT提供可测量膜层厚度和各种膜层或膜系折射率的独特设备，该设备充分考虑到表面粗糙度的影响。该系统专为离线测试而设计并优化，未来根据需要还可进行功能升级。

可测量OLED所有膜层：

· 厚度范围2nm-500nm

· 材料光谱特性n(λ)/k(λ)

· 表面粗糙度

· ITO膜层折射率分布图

既可保障生产，也是研发利器

· 即可离线测试标准样品，也能轻松对应研发中的特例

· 非接触式、无损测量。

· SCAN：x-y二纬分布图，单向扫描和单点测量。

已应用于以下膜层或膜系

· 有机材料

· 介电层

· 金属和半导体膜层

可升级至光学建模版本

· NXT独有的震荡模型：用户可自主设计m/k参数集。

离线测量OLED抽样测量台

ITO膜层厚度和光谱反射率n(λ)/和吸光率k(λ)，使用Xelas SCAN/LAB-oled在玻璃基片上测量。

Xelas SCAN：OLED膜系中各膜层厚度测量

使用Xelas SCAN/LAB-oled测量的工艺步骤包括：

测量原理

薄膜上下表面的反射光因相位不同而产生干涉现象，其干涉的频率与膜层的厚度是成比例的。这种物理现象被用来计算太阳能硅片上镀膜的厚度。通过将测得的反射光谱与理论光谱进行精确拟合，就可以获得膜层的准确厚度。

某一膜系的反射率R和透光率T

记录样本的光谱后，进行数学运算，分别变更膜层厚度和光学特性参数（n/k），使理论模型和实测结果完美匹配。

对涂覆于玻璃基片上的有机膜层进行反射率和透光率的光谱拟合。(实测=蓝色线，数学模拟=红色线)

我们的专利算法使用了一种特殊的震荡模型，它适用于任何类型的材料。而且，该算法已考虑到基片和膜层表面粗糙度的影响并将其计算在内。

对从基片到每一膜层，对各组成部分进行精确的建模，是测量薄至2nm的超薄膜层的关键，监测膜层的微小变化也是如此。

通过额外的软件模块——光学建模，加上预装的材料特性数据库，用户可自行设定所有参数。通过折射率分布图，可用三种不同的剖面图形来模拟折射率在膜层垂直方向上的变化，为设计提供一目了然的便利性。

对任何类型材料进行光学建模

离线测量膜厚和n/k的关键性：

●实现OLED膜层的高度均匀性

●材料和工艺设计

●镀膜工艺深入分析

Xelas-oled可帮助OLED生产实现：

●保持生产状态稳定，提高开机率和制程良率

●加强对局部变动性、厚度漂移和材料性质变化的深入了解，控制产品质量

●使用AudioDev独有的先进功能“光学建模”来研发新材料、新工艺和新膜系